Optoizolatörler - Transistör, Fotovoltaik Çıkışlı

EL817(M)-G

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

Paket/Kılıf
4-DIP
Seri / Aile Numarası
EL817

EL817(M)-G Hakkında

EL817(M)-G, Everlight Electronics tarafından üretilen 5kV izolasyonlu optoisolatör entegre devresinin transistor çıkışlı versiyonudur. 4-DIP through hole paket türünde sunulan bu bileşen, giriş ve çıkış devrelerinin galvanik olarak izole edilmesi gereken uygulamalarda kullanılır. LED tabanlı giriş ile transistor çıkışını birleştiren yapısı sayesinde, sinyal aktarımını elektrik yalıtımı sağlayarak gerçekleştirir. Maksimum 60mA forward akımı, 50mA çıkış akımı kapasitesi ve %50-600 arasında akım transfer oranı özellikleriyle sağlanan güvenilir işletim, -55°C ile 110°C sıcaklık aralığında stabilitesini korutur. 5000Vrms izolasyon gerilimi sayesinde yüksek voltaj uygulamalarında koruma sağlar. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve ac/dc konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - DC Forward (If) (Max) 60 mA
Current - Output / Channel 50mA
Current Transfer Ratio (Max) 600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min) 50% @ 5mA
Input Type DC
Mounting Type Through Hole
Number of Channels 1
Operating Temperature -55°C ~ 110°C
Output Type Transistor
Part Status Active
Rise / Fall Time (Typ) 6µs, 8µs
Supplier Device Package 4-DIP
Vce Saturation (Max) 200mV
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.2V
Voltage - Isolation 5000Vrms
Voltage - Output (Max) 80V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok