Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
EGF1D-2HE3_B/H
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-214BA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EGF1D
EGF1D-2HE3_B/H Hakkında
Vishay EGF1D-2HE3_B/H, 200V ters gerilim derecelendirmesine sahip 1A ortalama doğrultulu akıma kapasitesi olan genel amaçlı fast recovery diyotudur. DO-214BA surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 50ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -65°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücülerde doğrultma işlevi görür. 1V forward voltage @ 1A ve 5µA reverse leakage current özellikleri ile verimli ve güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-214BA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214BA (GF1) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok