Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
EGF1BHE3_A/H
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-214BA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EGF1BHE3
EGF1BHE3_A/H Hakkında
Vishay EGF1BHE3_A/H, genel amaçlı 100V 1A doğrultucu diyottur. Surface mount DO-214BA paketinde sunulan bu standart diyot, 50ns reverse recovery time ile fast recovery özelliğine sahiptir. -65°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 1V forward voltage düşüşü ve 1µA reverse leakage akımı ile karakterizedir. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, AC/DC dönüştürme devreleri ve genel doğrultulama uygulamalarında kullanılır. 15pF @ 4V kapasitansı ile düşük parazitik etkiye sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-214BA |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214BA (GF1) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok