Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

EGF1B-1HE3_B/H

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
DO-214BA
Seri / Aile Numarası
EGF1B

EGF1B-1HE3_B/H Hakkında

Vishay EGF1B-1HE3_B/H, 100V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahip genel amaçlı doğrultma diyotudur. DO-214BA (GF1) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 50 ns ters kazanım süresine (reverse recovery time) ve hızlı recovery karakteristiğine sahiptir. 1V maksimum ileri gerilimi ile düşük güç kaybı sağlar. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabilitesi korunur. Anahtarlama devreleri, DC güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler ve sinyal demodülasyon uygulamalarında kullanılır. 15pF kapasitans (@4V, 1MHz) ve 5µA ters sızıntı akımı (@100V) özellikleriyle elektrik parametrelerini belirtir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 100 V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case DO-214BA
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-214BA (GF1)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 1 A

Kaynaklar

Datasheet

EGF1B-1HE3_B/H PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok