Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
EGF1AHE3_A/I
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-214BA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EGF1AHE3
EGF1AHE3_A/I Hakkında
Vishay EGF1AHE3_A/I, 50V ters voltaj dayanımına sahip genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. 1A ortalama doğrultulanmış akım kapasitesine sahip olan bu diyot, 50ns ters recovery süresi ile 200mA üzerindeki akımlarda ≤500ns hız sınıfında yer almaktadır. DO-214BA yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. 1V maksimum ileri voltaj düşümü ve 5µA ters sızıntı akımı özellikleriyle uygulamada düşük güç kaybı sağlar. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve genel doğrultma uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-214BA |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214BA (GF1) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok