Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EFC6601R-A-TR
MOSFET 2N-CH EFCP
EFC6601R-A-TR Hakkında
EFC6601R-A-TR, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliği ile 2.5V sürülme voltajında çalışabilir. Common Drain konfigürasyonunda tasarlanmış bu FET komponenti, 48nC maksimum gate charge değerine (4.5V'da) sahiptir. Surface Mount paketlemesi ile PCB entegrasyonu sağlayan EFC6601R, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında stabilitesini korur. 2W maksimum güç kapasitesi ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında, lojik seviye kontrol devrelerinde ve düşük sinyali yüksek akıma dönüştüren uygulamalarda kullanılır. 6-XFBGA/FCBGA paketlemesi kompakt PCB tasarımları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| FET Feature | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-XFBGA, FCBGA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Supplier Device Package | EFCP2718-6CE-020 |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok