Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EFC4C002NLTDG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 9-UFBGA
- Seri / Aile Numarası
- EFC4C002N
EFC4C002NLTDG Hakkında
EFC4C002NLTDG, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu güç FET, ortak drain konfigürasyonunda tasarlanmıştır. Surface mount 8-WLCSP (6x2.5mm) paketinde sunulan komponent, 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir. 45nC @ 4.5V gate charge ve 2.2V @ 1mA eşik gerilimi özellikleriyle, düşük güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2.6W güç dissipatörü kapasitesine sahiptir. Anahtarlama devrelerine, ses amplifikatörlerine ve portable elektronik cihazlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6200pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-XFBGA, WLCSP |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.6W |
| Supplier Device Package | 8-WLCSP (6x2.5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok