Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ECH8619-TL-E

N-CHANNEL AND P-CHANNEL SILICON

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
ECH8619

ECH8619-TL-E Hakkında

ECH8619-TL-E, Rochester Electronics tarafından üretilen tümleşik N-channel ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source voltaj (Vdss) ile orta güç uygulamalarına uygun olan bu bileşen, Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. Maksimum 3A (N-channel) ve 2A (P-channel) sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 93mOhm (1.5A, 10V'da) RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. İnput kapasitansi 560pF (20V'da) ve gate yükü 12.8nC (10V'da) olarak belirtilmiştir. Surface mount 8-SMD paket tipi ile PCB'ye doğrudan entegre edilir. -40°C ile 150°C (TJ) arasında çalışabilir. Motor kontrol, anahtarlamış güç kaynakları, LED sürücüleri ve diğer anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Üretim durumu 'Obsolete' olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A, 2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 93mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package 8-ECH

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok