Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ECH8619-TL-E

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
ECH8619

ECH8619-TL-E Hakkında

ECH8619-TL-E, onsemi tarafından üretilen dual MOSFET dizisi olup N-channel ve P-channel transistörleri aynı paket içinde sunar. 60V drain-source gerilim ile çalışabilen bu bileşen, N-channel için 3A ve P-channel için 2A sürekli drain akımı sağlayabilir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim uygulamalarında kolayca kontrol edilir. 93mOhm on-state direnci, düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.5W maksimum güç, 150°C çalışma sıcaklığı ve kompakt 8-SMD flat lead paket yapısı ile motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Surface mount montajı otomasyona uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A, 2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 93mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package 8-ECH

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok