Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ECH8601M-TL-H-P
MOSFET 2N-CH
ECH8601M-TL-H-P Hakkında
ECH8601M-TL-H-P, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 24V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Logic level gate sürüşü (2.5V) sayesinde düşük voltaj lojik devreleri ile doğrudan uyumludur. 23mΩ RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. Surface mount 8-pin paket tipinde tasarlanmış olup anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-ECH |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok