Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
EC4H09C-TL-H
RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 4-UFDFN
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- EC4H09C
EC4H09C-TL-H Hakkında
EC4H09C-TL-H, onsemi tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 26GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 40mA kolektör akımı ve 3.5V breakdown voltajı ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 2GHz'de 1.3dB noise figure performansı gösterir. Surface mount ECSP1008 (4-UFDFN) paketinde sunulan bu transistör, yüksek frekans amplifikatörleri, osilatörler ve RF switch uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 120mW güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 1V |
| Frequency - Transition | 26GHz |
| Gain | 15dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 120mW |
| Supplier Device Package | 4-ECSP1008 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok