Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
EC3H02BA-TL-H
RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- EC3H02BA
EC3H02BA-TL-H Hakkında
EC3H02BA-TL-H, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde RF transistörüdür. 7GHz transition frequency ve 8.5dB kazanç ile yüksek frekans uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 70mA kollektör akımı, 100mW güç tüketimi ve 10V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 1dB gürültü şekli (1GHz'de) ve 120 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleri vardır. Surface mount 3-XFDFN paketinde sunulan bu transistör, RF amplifikatör devreleri, VHF/UHF haberleşme sistemleri ve RF switch uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C (TJ) operating temperature aralığında çalışır. Bileşen statüsü obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 20mA, 5V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 8.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | ECSP1006-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok