Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
E4D20120G
1200 V 20 A SCHOTTKY DIODE (SING
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- E4D20120G
E4D20120G Hakkında
E4D20120G, Wolfspeed tarafından üretilen 1200 V 20 A Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 1.8 V maksimum ileri gerilim düşümü ve 56 A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektronik sistemlerinde, invertörler, konvertörler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. SiC malzeme teknolojisi sayesinde sıfır reverse recovery time (trr) sunarak schalter kayıplarını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığı aralığında stabildir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1474pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 56A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 200 µA |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 20 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok