Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

DZT853-13

TRANS NPN 100V 6A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
DZT853

DZT853-13 Hakkında

DZT853-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistördür (BJT). 100V kolektör-emiter kırılma gerilimi ve 6A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında (1W) kullanıma uygundur. 130MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 değerindedir. Kolektör-emiter doyum gerilimi 340mV'tur. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) kullanılabilir. Ses amplifikaşonu, güç kaynağı kontrol devreleri ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Parça obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition 130MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package SOT-223-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 340mV @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok