Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
DZT851-13
TRANS NPN 60V 6A SOT-223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- DZT851
DZT851-13 Hakkında
DZT851-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyal ve orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 6A collector akımı ile güç elektronik devrelerinde anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirir. 130MHz transition frequency ile frekans uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-261-4 paket tipi ile surface mount montajına elverişli olup, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 375mV satürasyon voltajı ile verimli anahtarlama sağlar. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetim devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 375mV @ 300mA, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok