Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

DZT5551Q-13

TRANS NPN 160V 600MA SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
DZT5551Q

DZT5551Q-13 Hakkında

DZT5551Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). 160V Vce(BR) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir ve 600mA maksimum kolektör akımı sağlayabilir. SOT-223 yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve voltaj düzenleme entegrelerinde sürücü transistörü olarak tercih edilir. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 2W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile kompakt tasarımlarda etkili kullanım sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 2 W
Supplier Device Package SOT-223-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok