Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

DZT5551-13

TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
DZT5551

DZT5551-13 Hakkında

DZT5551-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar transistördür. 160V breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 300MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde otoomotiv, endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve genel amaçlı DC anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 80 minimum DC current gain (hFE) ve 200mV saturation voltajı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package SOT-223-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok