Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
DXTN3C100PSQ-13
PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- DXTN3C100PSQ
DXTN3C100PSQ-13 Hakkında
DXTN3C100PSQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük doyum voltajlı NPN bipolar junction transistördür. PowerDI50 (8-PowerTDFN) yüzey montajlı kasa ile sunulan bu komponent, 3A maksimum kollektör akımı ve 100V breakdown voltajına sahiptir. 330mV maksimum doyum voltajı ve 140MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile regülatörler, driver devreler, power supply kontrol ve RF uygulamalarında tercih edilir. Geniş -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ortamlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 10V |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 5 W |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 (Type Q) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 330mV @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok