Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
DXTN10060DFJBWQ-7
SS LOW SAT TRANSISTOR W-DFN2020-
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DXTN10060DFJBWQ
DXTN10060DFJBWQ-7 Hakkında
DXTN10060DFJBWQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük saturasyon voltajlı NPN tipi bipolar transistördür. Surface mount 3-UDFN (W-DFN2020-3) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 4A kolektör akımı ve 60V Vce breakdown voltajı ile çalışabilir. 320mV saturasyon voltajı (200mA/4A koşullarında) ve 125MHz transition frekansı ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazanç (hFE) 340 minimum değer (200mA, 2V koşullarında) sağlar. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen komponentin maksimum güç dağılımı 1.8W'dır. Motor sürücüleri, güç anahtar uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 340 @ 200mA, 2V |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8 W |
| Supplier Device Package | W-DFN2020-3 (Type A) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 200mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok