Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
DXTN10060DFJBQ-7
SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DXTN10060DFJBQ
DXTN10060DFJBQ-7 Hakkında
DXTN10060DFJBQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük doyum gerilimi (low saturation) NPN bipolar transistörüdür. 4A kolektör akımı ve 60V kesintisiz gerilim ile tasarlanmıştır. 320mV maksimum doyum gerilimi sayesinde düşük güç kaybı ve yüksek anahtarlama verimini sağlar. U-DFN2020-3 yüzey montajlı paketine sahiptir. Güç uygulamaları, motor kontrol devreleri, darbe genişliği modülasyonu (PWM) uygulamaları ve dijital anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 340 @ 200mA, 2V |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8 W |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-3 (Type B) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 200mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok