Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
DXT5551P5-13
TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- PowerDI™ 5
- Seri / Aile Numarası
- DXT5551
DXT5551P5-13 Hakkında
DXT5551P5-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). PowerDI™ 5 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal amplifikasyonu, anahtar uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için tasarlanmıştır. 160V Vce(br)ebo diyelectric dayanımı, 600mA maksimum kolektör akımı ve 2.25W güç yayılımı kapasitesi ile orta güç seviyesindeki uygulamalara uygundur. 130MHz transition frequency değeri, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren devrelerde kullanılabilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Tüketici elektroniği, endüstriyel denetim, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerDI™ 5 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.25 W |
| Supplier Device Package | PowerDI™ 5 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok