Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

DXT5551-13

TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3

Paket/Kılıf
TO-243AA
Seri / Aile Numarası
DXT5551

DXT5551-13 Hakkında

DXT5551-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-89-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 160V maksimum Vce diyelectric dayanımı ve 600mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 300MHz geçiş frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilmektedir. 1W maksimum güç harcaması ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. Elektronik cihaz kontrolü, amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-243AA
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package SOT-89-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok