Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
DXT13003DG-13
TRANS NPN 450V 1.3A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- DXT13003
DXT13003DG-13 Hakkında
DXT13003DG-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 450V kolektör-emitter gerilimi (Vce) ve 1.3A maksimum kolektör akımı (Ic) ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 700mW maksimum güç disipasyonu ve 4MHz transition frequency özellikleri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. SOT-223 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımları destekler. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarında kullanım sağlar. DC akım kazancı (hFE) 500mA, 2V'de minimum 16 olarak belirtilmiştir. Güç kaynakları, motor kontrolü, ses amplifikasyonu ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.3 A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 16 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 4MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700 mW |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 250mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok