Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTDG14GPT100
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- DTDG14GPT100
DTDG14GPT100 Hakkında
DTDG14GPT100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-243AA yüzey monte paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2W güç tüketim kapasitesine ve 1A collector akımına sahiptir. 60V collector-emitter breakdown voltajı ile tasarlanan transistör, 80 MHz transition frequency özelliğine ve minimum 300 DC current gain değerine (500mA, 2V'de) sahiptir. Ön beslemeli konfigürasyonunda 10kΩ emitter-base direncini içerir. Maksimum 500nA collector cutoff akımı ile düşük kaçak akımı sunar. 400mV saturation voltajı (5mA base, 500mA collector akımında) belirtilmiştir. Genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, sinyal işleme devrelerinde ve sayısal lojik arabirimlerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | MPT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok