Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD713ZMT2L
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- DTD713
DTD713ZMT2L Hakkında
DTD713ZMT2L, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistörüdür. Entegre baz ve emitter direnç ağları ile birlikte gelen bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200mA maksimum kollektör akımı, 30V çökme voltajı ve 150mW maksimum güç disipasyonu ile orta güç uygulamalarına uygundur. 260MHz geçiş frekansı ile hızlı sinyal işleme gerekli devrelerde tercih edilir. Minimal bileşen sayısı gerektiren kompakt tasarımlar ve otomotiv, endüstriyel kontrol ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 260 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | VMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok