Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD513ZMT2L
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- DTD513
DTD513ZMT2L Hakkında
DTD513ZMT2L, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. Maksimum 150mW güç tüketimi ve 500mA kollektör akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarına uygun şekilde tasarlanmıştır. Entegre 1kΩ taban ve 10kΩ emiter-taban dirençleri ile direkt sürüş uygulamalarında kullanılabilir. 260MHz transition frequency değeri ile orta hızlı anahtarlama işlemlerinde başarılı performans sağlar. SOT-723 yüzey monte paketi kompakt PCB tasarımları için idealdir. Maksimum 12V C-E break-down voltajı ve 140 minimum DC current gain değerleri ile genel amaçlı anahtarlama, ön kademesi ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında sıkça tercih edilir. Aktif üretimde olan bu bileşen, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve sensör arayüz uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 260 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | VMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok