Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD143ECT216
TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTD143ECT216
DTD143ECT216 Hakkında
DTD143ECT216, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SST3 paketinde sunulan bu bileşen, 200 mW güç dağıtımı kapasitesine ve 500 mA maksimum kolektör akımına sahiptir. Dahili 4.7 kΩ baz ve emitter-baz dirençleriyle önceden yapılandırılan tasarımıyla, anahtar uygulamalarında ve sinyal işleme devrelerinde doğrudan kullanılabilir. 200 MHz geçiş frekansı ve 50V kolektör-emitter diyotlaması ile geniş uygulamalar için uygun olan bu transistör, özellikle düşük gücü gerektiren lojik arayüz devreleri, RF uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketlemesiyle kompakt PCB tasarımlarına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 47 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok