Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD133HKT146
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTD133
DTD133HKT146 Hakkında
DTD133HKT146, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar junction transistördür. SMT3/SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, 200 mW güç dissipasyonuna ve 50V collector-emitter kırılma gerilimi ile diy̧eletim yeteneğine sahiptir. 500 mA maksimum collector akımı ve 200 MHz transition frekansı ile, ses, radyo ve genel amaçlı düşük seviye sinyal amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. Entegre tabanlı ön yükleme dirençleri (3.3 kΩ ve 10 kΩ) sayesinde devre tasarımını basitleştirir ve PCB alanı tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 3.3 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok