Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD123YKT146
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTD123
DTD123YKT146 Hakkında
DTD123YKT146, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMT paketi içinde sunulan bu bileşen, 200mW güç aralığında çalışmaya tasarlanmıştır. Maksimum 500mA kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 2.2kΩ baz ve 10kΩ emitter-baz direnç değerleriyle ön beslemeli yapılandırması sayesinde harici biyaslama rezistörleri gerektirmez. 200MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 50V maksimum collector-emitter gerilimi diyapazonu geniş uygulama yelpazesine olanak tanır. Düşük saturation voltajı (300mV @ 50mA) ile verimli güç tüketimi sağlar. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama, ön kademe amplifikasyonu ve düşük frekanslı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok