Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTD123YCHZGT116

DTD123YCHZG IS THE HIGH RELIABIL

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTD123

DTD123YCHZGT116 Hakkında

DTD123YCHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli transistördür. İçerisinde entegre diyo ve sabit dirençler (2.2kΩ base, 10kΩ emitter base) içeren bu komponent, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 500mA kolektör akımı, 200MHz geçiş frekansı ve 50V kırılma gerilimi ile dijital sinyal işleme, anahtarlama devreleri ve düşük güç uygulamalarında kullanılabilir. 200mW maksimum güç dissipasyonu ile düşük enerji tüketimli sistemlerde yer alır. SO-23 (SOT-23-3) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımları destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SST3
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok