Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD123EKT146
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTD123
DTD123EKT146 Hakkında
DTD123EKT146, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 200 mW maksimum güç kapasitesi ve 500 mA kollektör akımı ile çalışır. 200 MHz transition frequency ve minimum 39 hFE kazancı (50 mA, 5V'de) özellikleri vardır. Dahili 2.2 kOhm baz ve emitter-baz dirençleri bulunması, ön beslemeli konfigürasyonun avantajıdır. 50V VCEO (BVCEo) diyelectric dayanıklılığı ile genel amaçlı anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Özellikle IoT cihazları, sensör arayüzleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok