Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTD123ECT116

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTD123ECT116

DTD123ECT116 Hakkında

DTD123ECT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) dijital transistördür. 500 mA maksimum kollektör akımı ve 50 V maksimum kollektör-emitter gerilimi ile çalışır. Dahili 2.2 kΩ baz direnci ve 2.2 kΩ emitter-baz direnci içerir. 200 MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 200 mW maksimum güç tüketimiyle düşük güç gerektiren dijital devrelerde, lojik seviyelendirme, sinyal yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. SOT-23-3 (SC-59) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 39 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Supplier Device Package SST3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok