Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD123ECHZGT116
DTD123ECHZG IS THE HIGH RELIABIL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTD123ECHZG
DTD123ECHZGT116 Hakkında
DTD123ECHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli transistördür. Dahili base ve emitter-base dirençleriyle (2.2 kΩ) doğrudan lojik devrelerine bağlanabilir. Maksimum 500mA kolektör akımı, 200MHz transition frekansı ve 50V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 200mW güç kapasite ve 300mV saturasyon voltajı, anahtar ve amplifikasyon işlemlerine uygun. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında sinyal işleme ve güç denetimi için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok