Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD114GKT146
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTD114
DTD114GKT146 Hakkında
DTD114GKT146, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Surface Mount NPN ön beslemeli transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMT paketinde sunulan bu bileşen, 200 mW güç yeteneği ve 500 mA maksimum kolektör akımı ile orta seviye anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200 MHz geçiş frekansı ile hızlı sinyal işleme gerektiren devrelerde çalışabilir. İç emitter-base 10 kΩ direnç ve 56 minimum DC current gain özellikleri sayesinde ön yükleme (pre-bias) işlevini yerine getirir. 50V breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile mantık seviyesi sürücü devreleri, zayıf sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok