Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD114GCT116
NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTD114
DTD114GCT116 Hakkında
DTD114GCT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar junction transistörtür. 500 mA collector akımı ve 50 V breakdown voltajı ile çalışan bu bileşen, entegre 10 kΩ emitter-base direnci ile gelen dijital uygulamalarda kullanılır. 200 MHz transition frequency'si sayesinde yüksek hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 200 mW maksimum güç disipasyonu ile çalışan DTD114GCT116, SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulur. Dijital lojik arayüzleri, küçük sinyal anahtarlaması ve genel amaçlı transistor uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok