Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD114GCHZGT116
DTD114GCHZG IS THE HIGH RELIABIL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTD114G
DTD114GCHZGT116 Hakkında
DTD114GCHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek güvenilirlik standartına sahip NPN ön beslemeli transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, 500mA maksimum collector akımı ve 200MHz transition frequency ile çalışabilir. 50V breakdown voltajına ve 200mW maksimum güç derecelendirilmesine sahiptir. Yerleşik 10kΩ base direnci sayesinde ön beslemeli yapısında stabilite sağlar. DC current gain değeri 50mA collector akımında 56 (minimum) olarak belirtilmiştir. Düşük güçlü sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle kompakt tasarımlara ihtiyaç duyulan cihazlarda tercih edilir. Aktif üretim durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok