Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTD114ESTP

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Paket/Kılıf
SC-72 Formed Leads
Seri / Aile Numarası
DTD114ES

DTD114ESTP Hakkında

DTD114ESTP, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli bipolar junction transistördür. 300mW güç derecelendirmesi ve 500mA maksimum kolektör akımı ile işaret işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Transistöre entegre edilmiş 10kΩ base ve emitter-base dirençleri ile hızlı ve güvenilir anahtarlama sağlar. 200MHz geçiş frekansı, düşük saturasyon voltajı (300mV @ 50mA) ve 50V BVCEO derecelendirmesi ile endüstriyel kontrol, ses amplifikasyonu ve röle kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montajı için SC-72 pakette sunulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Through Hole
Package / Case SC-72 Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 300 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SPT
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok