Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTD114ECT116

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTD114

DTD114ECT116 Hakkında

DTD114ECT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. 500 mA kolektör akımı ve 50 V kolektör-emitter gerilim derecelendirmesi ile dijital ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Entegre 10 kΩ baz ve emitter-baz dirençleri içeren bu transistör, hızlı komutasyon ve sabit kazanç özelliği sağlar. 200 MHz geçiş frekansı ve 200 mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyal işlemesi ve lojik devre uygulamalarında tercih edilir. SC-59/SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SST3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok