Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTD114ECHZGT116

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTD114

DTD114ECHZGT116 Hakkında

DTD114ECHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistörüdür. SST3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu komponent, entegre baz direnç ağına (10kΩ) ve emitter baz direncine (10kΩ) sahiptir. Maksimum 500mA kollektor akımı, 200MHz transition frekansı ve 200mW güç dağıtma kapasitesi ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 50mA ve 5V koşullarında minimum 56'dır. Doyum gerilimi 300mV'ta 50mA akımda ölçülmüştür. Küçük boyutlu tasarımı, kontrol, sürücü ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. Aktif parça statüsü ile devam eden üretim desteği sağlanmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SST3
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok