Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD113ZUT106
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- DTD113ZUT106
DTD113ZUT106 Hakkında
DTD113ZUT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-70 / SOT-323 surface mount paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter dirençleri ile donatılmıştır. 200 mW maksimum güç tüketimi ve 500 mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 200 MHz transition frequency özelliği ile RF ve yüksek hızlı anahtarlama devrelerinde yer alabilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde ek biyaslandırma devresi gerektirmeden direkt olarak sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Mobil cihazlar, ses sistemleri, sensör arayüzleri ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok