Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD113ZKT146
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTD113
DTD113ZKT146 Hakkında
DTD113ZKT146, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMT paketinde sunulan bu bileşen, 200 mW güç kapasitesi ve maksimum 500 mA kolektör akımı ile karakterize edilir. 200 MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Entegre 1 kΩ taban direnci ve 10 kΩ emitör-taban direnci ile önceden ayarlanmış yapısı, basit devre tasarımı ve hızlı prototipleme gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Tipik kullanım alanları arasında sinyalleme, darbe şekillendirme, mantık seviyesi uyarlanması ve düşük güç anahtarlama devreleri bulunur. 50V maksimum kolektör-emitör kırılım gerilimi ile güvenli bir çalışma alanı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok