Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTD113EKT146
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTD113
DTD113EKT146 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen DTD113EKT146, ön beslemeli NPN transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMT paketi ile sunulan bu bileşen, entegre 1kOhm base ve emitter-base dirençleri içerir. 200mW güç derecelendirmesi ve 50V Vce(Br) ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200MHz transition frekansı ile dijital lojik seviyeleri sürülemesi, ses frekansı amplifikatörü tasarımı ve düşük güçlü sinyal işleme devreleri için uygundur. Ön beslemeli yapısı sayesinde ayrı bias dirençlerine gerek duymadan hızlı prototipleme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok