Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTD113ECT116

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTD113ECT

DTD113ECT116 Hakkında

DTD113ECT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN ön beslemeli dijital transistördür. 500 mA collector akımı ve 50 V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Entegre 1kΩ base ve emitter-base dirençleriyle birlikte gelen bu transistör, hızlı anahtarlama ve dijital lojik seviyesi eşleştirmesi gerektiren devre tasarımlarında tercih edilir. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketi ile PCB tasarımında kompakt çözümler sunar. 200 MHz geçiş frekansı ve 200 mW maksimum güç dissipasyonu ile sürücü, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 1 kOhms
Supplier Device Package SST3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok