Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTC363EUT106

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Paket/Kılıf
SC-70
Seri / Aile Numarası
DTC363EUT106

DTC363EUT106 Hakkında

DTC363EUT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı NPN tipi ön beslemeli transistördür. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 200 MHz transition frekansı ve 600 mA maksimum collector akımı özellikleriyle mikro gücü uygulamalarda kullanılır. Entegre base ve emitter dirençleri sayesinde ek bileşen gerektirmeden doğrudan devre bağlantısı yapılabilir. 200 mW güç dağıtım kapasitesi ve 20 V collector-emitter breakdown voltajı ile anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Mobil cihazlar, portabl elektronikler ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında sıkça yer alan bir transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 6.8 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 6.8 kOhms
Supplier Device Package UMT3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok