Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTC124EKAT246
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTC124E
DTC124EKAT246 Hakkında
DTC124EKAT246, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar junction transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200 mW güç tüketimine ve 50V collector-emitter breakdown voltajına sahiptir. 30 mA maksimum collector akımı, 250 MHz transition frequency ve 56 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle işaret işleme, kSmall signal amplification ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Entegre 22 kΩ base ve emitter-base direnç ağı sayesinde harici bias komponentleri gerektirmez, bu da PCB tasarımını basitleştirir ve kompakt devre tasarımını mümkün kılar. Ses amplifikaları, RF modülleri ve portatif elektronik cihazlarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok