Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTC124EKAT246

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTC124E

DTC124EKAT246 Hakkında

DTC124EKAT246, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar junction transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200 mW güç tüketimine ve 50V collector-emitter breakdown voltajına sahiptir. 30 mA maksimum collector akımı, 250 MHz transition frequency ve 56 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle işaret işleme, kSmall signal amplification ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Entegre 22 kΩ base ve emitter-base direnç ağı sayesinde harici bias komponentleri gerektirmez, bu da PCB tasarımını basitleştirir ve kompakt devre tasarımını mümkün kılar. Ses amplifikaları, RF modülleri ve portatif elektronik cihazlarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Supplier Device Package SMT3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok