Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTC123YU3HZGT106
DTC123YU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- DTC123YU3HZG
DTC123YU3HZGT106 Hakkında
DTC123YU3HZGT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. SC-70 (SOT-323) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimi gerektiren dijital ve analog uygulamalarda kullanılır. Maksimum 100 mA kollektör akımı, 250 MHz transition frekansı ve 50 V breakdown voltajı ile kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve lojik seviye dönüştürme işlemlerinde çalışabilir. Entegre ön beslemeli dirençler (2.2 kΩ base direnci, 10 kΩ emitter-base direnci) sayesinde ek bileşenlere gerek olmaksızın direkt kullanımı mümkündür. 200 mW maksimum güç derecelendirmesi ile batarya ve düşük güçlü cihazlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok