Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTC123JU3HZGT106
DTC123JU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- DTC123JU3HZG
DTC123JU3HZGT106 Hakkında
DTC123JU3HZGT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli bipolar transistördür. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri içererek basit ve kompakt tasarımlar için kullanılmaya uygun hale getirilmiştir. 100mA maksimum kolektör akımı, 250MHz transition frekansı ve 50V koletör-emitter bozulma voltajı ile düşük güç uygulamalarında tercih edilir. 200mW maksimum güç dağılımı sınırı ile dijital lojik devreleri, anahtarlama uygulamaları ve sinyal amplifikasyonu gibi alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır. 2.2kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile ön ayarlanmış yapı, tasarım sürecini hızlandırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok