Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTC123JETL
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- DTC123JE
DTC123JETL Hakkında
DTC123JETL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emitter direnç ağıyla birlikte gelir. 100 mA maksimum kollektör akımı ve 150 mW güç kapasite ile çalışan transistör, 250 MHz geçiş frekansına sahiptir. Dahili 2.2 kΩ baz ve 47 kΩ emitter-baz direnci ile doğrudan lojik seviye sürücü uygulamalarında, sinyal anahtarlama devrelerinde ve düşük gürültü anahtarlama uygulamalarında kullanıldığında hızlı yanıt sağlar. 50V maksimum VCE(BO) derecelendirmesi ile endüstriyel sensör arayüzleri, röle sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | EMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok