Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTC123JCAHZGT116

DTC123JCAHZG IS THE HIGH RELIABI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTC123JCAHZG

DTC123JCAHZGT116 Hakkında

DTC123JCAHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistörü ve entegre diodudur. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, temel dirençler (2.2kΩ, 47kΩ) ile birlikte tasarlanmıştır. 100mA maksimum kolektör akımı ve 250MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V diyelectric dayanımı ve 300mV doygunluk gerilimi ile mantık seviyeleri sürücü, aydınlatma kontrolü ve sinyal amplifikasyon devreleri gibi uygulamalara uygundur. Düşük güç tüketimi (200mW max) ve yüksek güvenilirlik standartları ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SST3
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok