Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTC123EUAT106

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Paket/Kılıf
SC-70
Seri / Aile Numarası
DTC123

DTC123EUAT106 Hakkında

DTC123EUAT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 200mW güç tüketimi ve 100mA kolektör akımı kapasitesiyle çalışır. Dahili olarak 2.2kΩ taban ve 2.2kΩ emitter-taban dirençleri içerir. 250MHz transition frequency ve 50V breakdown voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında, sinyal seviye dönüştürme devrelerinde ve lojik seviyelendirmede kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (500nA) ve 300mV saturation voltajı ile veri alınıp verilme ve amplifikasyon işlemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Supplier Device Package UMT3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok